氮化镓充电器和普通充电器区别有哪些？一文告诉你区别

氮化镓充电器和普通充电器区别有哪些？一文告诉你区别

氮化镓（GaN）充电器和传统的硅（Si）充电器其实从功能上没有区别，都是通过将交流电转化为手机或者其他设备所需的直流电。然而由于氮化镓充电器所使用的半导体材料不同，这给它们在体积、效率以及功率密度等方面带来了显著的差异。

1. 体积：氮化镓充电器一般要比普通充电器要小。这是由于氮化镓的出色性能使得适配器内部的组件可以被设计得更小，从而节省空间。

2. 效率：相较于硅，氮化镓在高温和电压下更长久地保持稳定，不会产生太多的热量，因此更能有效地将电能转化为设备所需的电流，而不是浪费为热能。

3. 功率密度：由于氮化镓的断电能力更好（也就是快速开关的能力），电能转化的频率可以更高，这意味着装置可以在更小的体积内产生更大的功率，也即是功率密度更大。

正是由于以上优点，氮化镓充电器在体积、效率和功率表现上相较于传统的硅充电器有着明显优势。因此随着技术的发展和成本的降低，未来可能会有更多的设备使用氮化镓充电器。

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氮化镓（GaN）是一种半导体，是一种导电率介于导体和绝缘体之间的材料很像硅，而硅是从智能手机到微波炉的所有电子产品中运行的组件的主要元素。镓于 1875 年在巴黎被发现（比硅晚 51 年），自此成为元素周期表的一员。但直到 1940 年代，氮化镓才被首次合成，因为镓不是地球上天然存在的矿物，它通常只微量存在于锌和铝土矿中。

氮化镓与硅相比首先它具有更宽的带隙(3.4 eV)，硅的带隙为 1.1 eV，因此，氮化镓可以承受更高的电压并更快地传导电流，氮化镓的电流传导效率是硅的1000倍；其次，氮化镓（GaN）器件可以承受更高的温度，它的热极限为 600 °C，而硅的热极限为 150 °C，这为氮化镓开辟了更灵活的应用领域，同时也使其在航空航天和军事工业领域可以有更广泛的应用。

所有这些使它成为硅的完美继任者，充电器制造商肯定更喜欢它，更宽的带隙意味着它可以泵出更高的电压（或功率），让电流更容易通过，从而更快地为电子设备充电，因此充电时损失的能量更少。相比之下，氮化镓（GaN）充电器的运行效率为 95%，而硅充电器的运行效率仅为87%。而且由于能量损失较小，它产生的热量也明显减少，因此氮化镓（GaN）充电器可以削减硅基充电器所需的笨重散热片从而达到更小的体积，平均而言相比于传统充电器可以缩小 40%的体积，想象一下这会从背包中释放出多大的重量和空间。

所以总结一下氮化镓（GaN）充电器相对于传统充电器的优点，比硅充电器更好地从交流电转换为直流电，可以更快地为移动设备充电并提高效率，使用氮化镓（GaN）充电器的电子设备可以使用更少的能量并具有更好的耐热性，从而延长它们的使用寿命，当使用氮化镓（GaN）代替硅时，更多的计算能力可以塞进一个更小的空间，是一个强大的便携式紧凑型充电器。

同时它目前也有一些缺点，目前它的生产成本肯定高于硅基充电器，因为没有多少主流电子消费产品开始使用它们，因此，使用 氮化镓（GaN）技术的充电器制造商并没有那么多，希望当生产和成本变得更加可承受时，这种情况有望得到改善，尽管如此，相信一些对市场反应灵敏的企业仍然会从这项新一代的技术中获益。